多层片式瓷介电容器作为电子工业不可或缺的核心基础元器件，在电子电路中起滤波、耦合、隔直、旁路等关键作用。作为适用于高密度微组装工艺的多层芯片瓷介电容器，以其微型化尺寸、高容量密度、低等效串联电阻（ESR）及低等效串联电感（ESL）等显著技术优势，在现代电子系统中扮演着重要的角色，其战略价值日益突显。
在高可靠性应用领域，如电子对抗、雷达系统、导航制导及卫星通信等关键系统中，多层芯片瓷介电容器凭借其卓越性能获得广泛应用。在民用及工业应用领域，其应用前景同样极为广阔，目前已经广泛应用于5G通信基础设施、高速光通信模块、激光雷达等前沿技术领域。
随着射频微波通信技术、雷达、电子站、光通信技术、精密测量仪器以及自动驾驶等高端产业的蓬勃发展，现代电子设备对小型化、轻量化、高集成度的追求日趋迫切。特别是在光通信组件集成化与汽车雷达小型化的强劲需求牵引下，市场对超微型多层芯片瓷介电容器的需求日益旺盛。为响应这一行业趋势，元六鸿远公司依托技术创新，成功研制出012012尺寸多层芯片瓷介电容器，尺寸代码012012（0.30mm×0.30mm）。
该系列产品在关键的产品尺寸与电容量等核心性能指标上实现了突破性进展，有效解决了微型化与高容值兼顾的技术难题。目标在于为新一代高度小型化的通信设备提供性能更优、体积更小、可靠性更高的芯片电容解决方案，为电子信息技术向更微型、更智能的方向持续演进提供有力技术支撑。
元六鸿远多层芯片瓷介电容器产品，自面市以来凭借优异的性能和可靠性，赢得了市场的广泛认可。为积极响应电子产品日益小型化、高集成化的发展要求，满足客户对更小尺寸、更高容量的迫切需求，我司在现有成熟产品015015（0J0J）规格（0.38mm×0.38mm×0.30mm）基础上，成功开发并推出全新012012（0G0G）规格（0.30mm×0.30mm×0.20mm）超小型多层芯片瓷介电容器。
此次推出的012012多层芯片瓷介电容器，其产品体积由015015规格的0.043mm³大幅缩减至0.018mm³，体积降幅高达约58%。该产品的成功研制，进一步拓展了国内外超小型多层芯片瓷介电容器的尺寸范围，实现了显著的技术突破，可为国内外客户提供新的超小尺寸多层芯片瓷介电容器解决方案。以1000pF规格为例，012012多层芯片瓷介电容器相较于原有015015、0202尺寸实物对比如下：
元六鸿远CT41A（MA）系列012012超小型多层芯片瓷介电容器的研发成果，标志着公司在多层芯片瓷介电容器领域达到行业领先水平，超小芯片电容产品工艺平台日趋成熟，为下游客户开发更前沿、更精密的电子产品提供了核心元器件支持！
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